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国创越摩先进封装项目(一期)封顶 明年3月正式投产

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封顶仪式现场。

红网时刻9月9日讯(记者 聂千川 通讯员 何勇 陈风宇)株洲经开区集成电路封装厂投产进入倒计时。9月9日,国创越摩先进封装项目(一期)封顶。

国创越摩先进封装项目由上海兴橙资本、市国投集团、株洲经开区产投公司及项目创业团队合资建设,项目选址株洲经开区云霞大道旁,规划用地220亩,总投资约26.8亿元。其中一期预计总投资10.62亿元,规划用地面积100.96亩,计划建设100级、1000级及万级车间共9万平米,配套用房1万平方米。项目建设5G射频滤波器晶圆级封装线(WLCSP)和射频前端模块系统级封装线(SiP)各一条,打造包含6吋、8吋晶圆级封装和系统级封装,射频滤波器芯片和射频前端模块,其他晶圆级和系统级封装等多种产品,打造技术先进、产品多元的世界级半导体封装产业基地。

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国创越摩先进封装项目(一期)。

项目投产后,可实现5G滤波器国产化封测产线零的突破,同时依托领先的晶圆级封装和系统级封装服务,吸引优质上下游企业集聚株洲,着力将株洲打造成5G射频芯片及模块先进封装供应链中心。完全建成达产后,预计可实现年销售收入超40亿元,创造净利润8.78亿元,上缴税收4.17亿元,带动上下游产业链实现产值近百亿元。

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国创越摩先进封装项目(一期)封顶。

株洲经开区党工委副书记、管委会主任曾毅鹏介绍,近年来,株洲经开区抢抓长株潭一体化机遇,大力推进产业建设,新一代信息技术、智能制造、生物医药等新兴产业加速发展。该项目是该区基金招商引进的首个重大产业项目,也是产业业态最新、项目推进最快、发展来势最好的项目之一。

据湖南越摩先进半导体有限公司总经理赖芳奇介绍,目前国创越摩先进封装项目(一期)正在全力推进,有望明年3月正式投产。

来源:红网

作者:聂千川 何勇 陈风宇

编辑:任欣蓓

本文为株洲站原创文章,转载请附上原文出处链接和本声明。

本文链接:https://zz.rednet.cn/content/2021/09/09/10126369.html

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