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株洲高新区半导体用碳化硅蚀刻环项目正式竣工
2022-12-31 09:35:12 字号:

株洲高新区半导体用碳化硅蚀刻环项目正式竣工

红网时刻新闻12月30日讯(记者 曹缇 通讯员 张弥郁)12月30日,株洲高新区半导体用碳化硅蚀刻环项目正式竣工,项目投产后年产值约15000万元。

湖南德智新材料有限公司成立于2017年8月,注册地位于湖南省株洲市天元区中国动力谷自主创新园(研发中心C栋2楼202号)。公司经营范围主要包括环保新型复合材料的研发、制造和销售等。碳化硅蚀刻环是半导体材料在等离子刻蚀环节中的关键耗材,在半导体芯片产业链上是一种不可或缺的重要材料,其对纯度要求极高,只能采用CVD工艺生长碳化硅厚层块体后经精密加工而制得,主要用于半导体刻蚀工艺的制备环节。

德智新材半导体用碳化硅蚀刻环项目位于新马工业园丰产四路以东、新丰路以南、丰产三路以西、金丰路以北,总占地面积约60亩,总投资约2.5亿元,2022年计划完成投资2亿元。项目建设工期为2022年3月至2022年12月,主要建设内容为:建设4栋2层高生产厂房,1栋4层高综合办公楼,1栋1层高原材料及半成品仓库;其他辅助配套用房(食堂、宿舍楼、变配电室等)。项目投产后年产值约15000万元。投产后年上缴税收约30万元/亩。

来源:时刻新闻

作者:曹缇 张弥郁

编辑:任欣蓓

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